在Fab中，我们常会接触到题目中的术语，那么这些术语是什么含义呢？
CDA
全称为Compressed Dry Air或Clean Dry air。由于大气中含有水分，因此不能直接用于半导体工艺中。而CDA不含水分和油分，适合作为半导体设备中气动阀门的驱动气体。
CDA是如何被制造的？空气首先被压缩机吸入并压缩，压缩后的空气温度较高，需要通过冷却降温以除去其中的水蒸气，并通过一系列过滤器以去除灰尘、油分等。最后再经过干燥器干燥，得到需要的压缩干燥气体。
CDA用在哪些机台？凡是需要用到气动阀门的设备都需要CDA，几乎涵盖了所有的设备：光刻机，PVD设备,CVD设备,刻蚀设备，清洗设备，检测和量测设备等
Pure N2与General N2
Pure N2，高纯氮气；General N2,一般氮气。高纯氮气与一般氮气主要的区别是氮气的浓度不同，而且高纯氮气的价格比一般氮气高很多。浓度大于等于 99.999% 的氮气通常被认为是高纯氮气。
展开剩余65%高纯氮气的其他主要特性包括：
氧气浓度 ≤ 0.5 ppm
一氧化碳/二氧化碳不超过1.0ppm
水含量不超过3ppm
高纯氮气与一般氮气各用在哪些机台？一般需要和晶圆接触的地方所用的氮气为高纯氮气，比如在CVD中用作载气传输前驱气体；在PVD中作为溅射气体，用于沉积薄膜；氮气箱中用高纯氮气储存晶圆等。而一般氮气用在某些设备的冷却系统，或封装测试设备中等。
UPW
UPW,全称Ultra-Pure Water，即超纯水。超纯水 是指已纯化至极高规格水平的水。标准情况下，水中只含有 H20，以及 H+ 和 OH- 离子。它的电阻率为 18.2 MΩ.cm，TOC < 10 ppb，细菌计数 <10 CFU/ml等。
超纯水主要是用在湿法工序与光刻工序。湿法工序包括湿法清洗，湿法刻蚀，电镀，化学镀。光刻工序主要是在显影后需要将显影液及其反应物洗掉，保持晶圆表面的干净。当然一些检测仪器如液相色谱，ICP等也会用到超纯水。
process gas
Process gas 指的是参与反应的一般工艺气体，在气相沉积、刻蚀、光刻、掺杂和清洁等工序都会用到。之前的文章总结了晶圆厂几乎所有的气体种类，详见：《芯片厂所有气体一览（共100种）》special gas
Special gas指的是特种气体，有些特定的工序，需要高纯度或具有特定化学性质的气体，这些气体不是通用普适的，具有特殊性。比如在DUV光刻机中用到的F2，Kr等；在等离子刻蚀中用到的NF3气体等。一般特种气体毒性较大，使用时应做好严格防护。
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